夏天到了，我们钟爱的笔记本电脑的温度也会升高。传统的散热方法，例如添加散热底座。这种方法的效果有限，如果花费很长时间，不仅会增加机器内部的灰尘，还会阻塞散热器。相反，排气孔的温度会更高。以下是我属氧化物半导体）工艺制成。 CMOS电路动态功耗的计算公式如下：
P = C×（V?2)×f
C是容性负载，V是电源电压，f是开关频率。
假设额定频率为1GHz，额定电压为1. 5V的CPU的动态功耗为P0。超频后，工作电压升压至1. 65V，并在1. 3GHz稳定运行。此时，其动态功耗为P1。因为在制作完CPU之后，其电容值C基本上是固定的，可以视为一个常数，也就是说，超频前后的电容值C是相同的。
您可以获得：P0 = 1. 5×1. 5×1×C = 2. 25C（W）
P1 = 1. 65×1. 65×1. 3×C = 3. 54C（W）
以上是在压力下进行超频的情况。如果在压力下超频怎么办？
换句话说，开关频率提高了，电压降低了，功率可能没有变化，但是与压力超频相比，它可以节省很多功率，但是CPU温度却下降了。
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