高通今天在国内正式发布了新旗舰骁龙835, 小米6、三星Galaxy S8分别国内、国际首发。 骁龙835采用三星10nm工艺制造, 集成八核Kyro 280 CPU, 主频最高2.45GHz, 同时集成Adreno 540GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP, 支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。
在发布会现场, 我们也体验了骁龙835参考设计样机, 一起来看看。
需要注意的是, 这只是一部开发机, 仅供设计参考, 不代表实际产品。
左侧是骁龙821, 右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm, 尺寸减小35%, 功耗降低25%。
高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素, 比较方正, 背部摄像头十分惹眼。
电源键在右侧。
音量键在左侧。
底部有3.5mm、USB Type-C。
测试部分
安兔兔跑分18万, iPhone 7Plus的水平, 不是很高, 不过跑分波动性很大, 理论上应该可以超过20万的。 骁龙821最高可以跑到16万。
……